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图3温差对镀金探针与SiO2样品之间CE的影响a)样品温度为313K时，千伏转移电荷密度随探针温度的变化。b,c)当金属温度等于或高于电介质温度，输变式完对金属施加负偏压时金属和电介质的能带结构。

文献链接：电工ElectronTransferinNanoscaleContactElectrification:EffectofTemperatureintheMetal–DielectricCase(Adv.Mater.,2019,DOI:10.1002/adma.201808197)【团队介绍】王中林院士是纳米能源研究领域的奠基人，电工首次发明了纳米发电机和自驱动纳米系统技术，被誉为纳米发电机之父。程正产d)不同温度下SiO2表面上转移的电荷密度的衰减。b,d,f)当金属温度等于、工投高于或远高于电介质温度时，金属和电介质之间接触电荷转移的示意图。

通州b)温度对探针和SiO2样品之间转移的电荷密度的影响。为了获得更高的输出性能，千伏需要在TENG的绝缘体表面上产生更多的摩擦电荷。

输变式完g)通过AFM测量的SiO2样品形貌。

c)样品温度为373K时，电工转移电荷密度随探针温度的变化。散射角的大小与样品的密度、程正产厚度相关，因此可以形成明暗不同的影像，影像将在放大、聚焦后在成像器件上显示出来。

在X射线吸收谱中，工投阈值之上60eV以内的低能区的谱出现强的吸收特性,称之为近边吸收结构(XANES)。通州此外通过EAXFS证明了富含缺陷的四氧化三钴中的Co具有更低的配位数。

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